Micron планирует во второй половине 2027 года вывести в массовое производство память 3D NAND Micron поколения G11: более 400 слоёв, примерно вдвое выше плотность хранения и интерфейс со скоростью до 5400 MT/s. Для рынка SSD это не очередная гонка цифр на слайдах: более ёмкие и экономичные чипы могут снизить число накопителей в серверах и поднять планку для корпоративного и AI-хранилища.
О планах компании 3D NAND Micron сообщает Tom's Hardware. По данным издания, G11 должна обеспечить плотность около 42 Гбит/мм² для TLC-памяти против 21 Гбит/мм² у текущего поколения Micron G9 (N160), увеличить скорость ввода-вывода примерно на 50% — с 3600 до 5400 MT/s — и сократить энергозатраты на передачу одного бита более чем на четверть.
Главное технологическое изменение — переход к wafer-on-wafer bonding, то есть соединению двух отдельно изготовленных пластин. На одной формируется массив ячеек NAND, на другой — периферийная логика и интерфейсы ввода-вывода; затем их объединяют. Такой подход позволяет подбирать техпроцесс для каждой части чипа отдельно, вместо компромисса, когда память и логика должны уживаться в одной производственной схеме.
Президент Micron и руководитель направления технологий и продуктов Скотт ДеБоер объяснил, что компания выбирала момент для внедрения метода с оглядкой на его экономику и требования будущих продуктов. Micron уже несколько поколений применяет архитектуру CMOS-under-array, где управляющая логика располагается под массивом ячеек. Wafer bonding даёт больше свободы при оптимизации этих частей и потенциально помогает одновременно наращивать ёмкость, пропускную способность и энергоэффективность.
Более 400 слоёв сами по себе тоже важны, но ими история не ограничивается. Производитель не раскрыл точное число активных wordline-слоёв и число «этажей» в G11. Зато заявил о рекордном для отрасли шаге ячеек. Это указывает на двойную ставку: Micron не только строит память выше по оси Z, но и уменьшает геометрию массива по осям X и Y. Иначе добавление слоёв быстро превращается в дорогую инженерную акробатику с травлением сверхглубоких каналов.
Для разработчиков ПО эти параметры не означают, что существующие приложения внезапно станут работать быстрее. Выигрыш появится на уровне систем: производители смогут проектировать SSD большей ёмкости, а операторы дата-центров — плотнее размещать данные в тех же стойках и расходовать меньше энергии на их перемещение. Это особенно актуально для AI-инфраструктуры, где быстрые накопители всё чаще используются не только для загрузки моделей, но и для датасетов, векторных баз, чекпойнтов и многоуровневых кэшей.
Для российского корпоративного рынка важнее не обещанная дата появления конкретных SSD, а направление развития. Поставки новейшей NAND в локальные серверы и устройства зависят от цепочек поставок, производителей контроллеров и готовых накопителей. Но рост плотности чипов обычно со временем влияет на весь рынок: в системах хранения становится проще наращивать объём без пропорционального роста числа дисков, слотов, кабелей и потребляемой мощности.
Micron также описывает маршрут после G11: новые материалы с высокой подвижностью носителей, более плотные ячейки и экономичные пути передачи данных. Компания не назвала ни характеристик, ни графика следующих поколений, поэтому преждевременно записывать их в будущие продукты. Но вектор понятен: рекорды по числу слоёв останутся маркетинговой витриной, а реальная конкуренция развернётся вокруг того, кто сумеет уменьшить ячейку, не испортив выход годных кристаллов и цену терабайта. Заявления и параметры G11, включая слова Скотта ДеБоера, доступны на странице .
