GlobalFoundries намерена в 2028 году запустить в Дрездене производство по техпроцессу FDX Fusion GlobalFoundries — первой для компании платформе «7-нм класса» после отказа от разработки передовых FinFET-узлов в 2018-м. Это не попытка догнать TSMC в выпуске процессоров для смартфонов: ставка сделана на автомобильную электронику, промышленность, робототехнику и edge AI, где важнее совместить вычисления, радиочасть и память в одном кристалле, чем выжать рекордную частоту.
Новая платформа использует полностью обеднённый кремний на изоляторе — FD-SOI — и обещает более чем вдвое большую плотность транзисторов по сравнению с исходным 22FDX, представленным около 2015 года. Об анонсе сообщает Tom's Hardware. Для русскоязычных разработчиков электроники и команд, проектирующих устройства для промышленности, транспорта и интернета вещей, новость интересна не названием «7 нм», а потенциально более удобным способом собрать сложный специализированный SoC без россыпи отдельных чипов.
GlobalFoundries пока не раскрыла ни физические размеры транзисторов, ни шаг затвора, ни минимальный шаг металлизации, ни абсолютную плотность логики. Поэтому формулировку про «цифровую производительность 7-нм класса» следует читать осторожно. В индустрии название узла давно не является единым измерительным стандартом, а в данном случае компания сравнивает возможности цифровой части, а не заявляет прямой аналог современного 7-нм FinFET-процесса по всем параметрам.
Первое демонстрационное кремниевое изделие GlobalFoundries обещает предоставить заказчикам в начале 2027 года, а первый комплект проектирования PDK — в середине того же года. Серийный запуск намечен на 2028-й на фабрике в Дрездене. Среди компаний, проявивших интерес к технологии, названы BMW, Bosch, Infineon, NXP, Siemens и Tesla. При этом конкретное сотрудничество подтвердила только Infineon: речь идёт о будущих технологиях 7-нм класса для радаров и беспроводной связи.
Не новый FinFET, а конструктор для интегрированных чипов
Главная идея FDX Fusion GlobalFoundries — не только сделать цифровую логику компактнее. Платформа должна поддерживать RF-транзисторы с fT/fmax до 0,5 ТГц, аналоговые и смешанные схемы, встроенную энергонезависимую память и вычисления в памяти. Вдобавок GlobalFoundries планирует предлагать процессорные IP-блоки на базе MIPS, ARC и RISC-V.
Такой набор нужен, например, чипу в автомобильном радаре или промышленном контроллере. Ему требуется принимать сигналы с датчиков, выполнять локальный алгоритм распознавания, управлять исполнительным механизмом, хранить параметры и передавать данные по беспроводному каналу. Если под каждую функцию брать отдельный кристалл, растут число корпусов, энергопотребление платы, стоимость разработки и риски на уровне поставок. Если всё удаётся разместить в одном SoC, архитектура становится проще — хотя проектирование самого SoC от этого магически лёгким не становится.
Именно здесь FD-SOI выглядит логичным выбором. Технология хорошо подходит для маломощных схем, аналоговых блоков и радиочастотных интерфейсов, а её транзисторы можно гибко настраивать по энергопотреблению и производительности. Для edge AI это важнее маркетинговой гонки нанометров: устройству на заводе или в автомобиле нужно обрабатывать данные рядом с источником, укладываться в тепловой бюджет и работать предсказуемо годами.
В европейском контексте проект имеет и производственное значение. FDX Fusion будет развиваться при участии французского исследовательского центра CEA-Leti, который много лет занимается FD-SOI. Его гендиректор Себастьен Дове назвал разработку следующим поколением одноразрядного FD-SOI-узла и связал её с европейской технологической дорожной картой. Если заявка дойдёт до массового производства, европейские разработчики получат более продвинутую локальную альтернативу для специализированных микросхем, не завязанную целиком на передовые фабрики Азии и США.
Почему обещания придётся проверять цифрами
У GlobalFoundries уже был похожий маршрут. В 2016 году компания анонсировала 12FDX как преемника 22FDX: тогда обещались характеристики уровня 10-нм FinFET, полноценный прирост плотности и до 50% меньший расход энергии. Первые tape-out ожидались в 2019 году, но коммерческих продуктов на 12FDX рынок так и не увидел. Компания развивала 22FDX и позднее 22FDX+, добавляя возможности для RF, встроенной памяти и маломощных приложений. При этом 12FDX ещё фигурировал в инвесторской дорожной карте 2022 года.
Поэтому FDX Fusion можно считать не столько внезапным возвращением GlobalFoundries в «передовые нанометры», сколько второй попыткой масштабировать FD-SOI дальше 22-нм поколения. Компания не уточняет, какая часть наработок 12FDX вошла в новый процесс. Неизвестны также себестоимость пластин, выход годных кристаллов и реальные показатели производительности стандартных библиотек — то есть ровно те данные, по которым инженеры выбирают техпроцесс после красивой презентации.
Ещё один вопрос — экосистема. Маленьким fabless-командам полезны готовые ядра MIPS, ARC и RISC-V, а также услуги разработки ASIC, однако одних CPU IP недостаточно. Нужны проверенные библиотеки стандартных ячеек, компиляторы памяти, интерфейсные блоки, инструменты EDA и опытные партнёры, умеющие доводить проекты до серийного кремния. GlobalFoundries пока не рассказала, какие поставщики EDA и IP поддержат FDX Fusion и в каком объёме.
Если компания подтвердит заявленные параметры на тестовом кремнии в 2027 году, FDX Fusion может занять привлекательную нишу между зрелыми специализированными процессами и дорогими передовыми FinFET либо gate-all-around узлами. Но до запуска в 2028-м ключевой вопрос останется прежним: сможет ли GlobalFoundries превратить удачную интеграционную идею в предсказуемую фабричную платформу с достаточным набором IP и понятной экономикой. Исходные заявления компании и комментарий CEA-Leti можно сверить на странице .